【消息称三星电子已规划在1d nm传统结构内存后导入VCT DRAM技术】《科创板日报》28日讯，三星电子内部已制定了在第7代10nm级DRAM内存工艺1d nm后即导入VCT垂直通道晶体管技术的路线图，相关产品有望最早于2~3年内面世。三星电子在1d nm后的下代DRAM工艺上曾考虑过1e nm和VCT DRAM两种选择，最终选择了的后者，并将1e nm先行研究组织合并到1d nm团队中以推进1d nm的开发。